Kitas variantas, kurį verta aptarti, yra naudoti FGH30N60LSD įrenginius. Tai 30A/600V IGBT, kurio soties įtampa VCE(SAT) yra tik 1,1V. Jo išjungimo nuostoliai EOFF yra labai dideli, siekia 10mJ, todėl tinka tik žemo dažnio konvertavimui. 50 miliohm MOSFET įjungimo varža RDS(ON) darbinėje temperatūroje yra 100 miliohm. Todėl, esant 11A, jis turi tą patį VDS kaip ir IGBT VCE (SAT). Kadangi šis IGBT yra pagrįstas senesne gedimo technologija, VCE(SAT) mažai keičiasi priklausomai nuo temperatūros. Todėl šis IGBT gali sumažinti bendrą nuostolį išėjimo tiltelyje ir taip padidinti bendrą keitiklio efektyvumą. FGH30N60LSD IGBT perjungimas iš vienos galios konvertavimo technologijos į kitą specialią topologiją kas pusę ciklo taip pat yra labai naudingas. IGBT čia naudojamas kaip topologinis jungiklis. Greitesniam konvertavimui naudojami įprasti ir greito atkūrimo super jungties įrenginiai. 1200 V dedikuotai topologijai ir pilnai tilto struktūrai minėtasis FGL40N120AND labai tinka naujo aukšto dažnio saulės keitiklio perjungimui. Kai specialios technologijos reikalauja diodų, Stealth II, Hyperfast™ II diodai ir anglies silicio diodai yra geri sprendimai.

Prašome pažiūrėti ir geriau suprasti mus:

20000 watt pure sine wave ac inverter